CY7C1019DV33-10VXI, SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube

Фото 2/2 CY7C1019DV33-10VXI, SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube
Фото 1/2 CY7C1019DV33-10VXI, SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 128K x 8 10ns 32-Pin SOJ Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8724 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
384 руб.
от 10 шт.379 руб.
от 25 шт.361 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 384 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001225311
Артикул: CY7C1019DV33-10VXI
Производитель: Cypress Semiconductor

Описание

Асинхронная статическая память RAM, Cypress Semiconductor

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +85 °C
Length 21.08мм
Brand Cypress Semiconductor
Memory Size 1Мбит
Package Type SOJ
Low Power Yes
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -40 °C
Maximum Random Access Time 10нс
Width 10.29мм
Organisation 128К x 8 бит
Высота 3.124mm
Address Bus Width 8бит
Maximum Operating Supply Voltage Максимальное значение 5 В
Pin Count 32
Dimensions 21.08 x 10.29 x 3.124mm
Number of Words 128K
Number of Bits per Word 8бит
Access Time 10ns
Base Product Number CY7C1019 ->
ECCN 3A991B2B
HTSUS 8542.32.0041
Memory Format SRAM
Memory Interface Parallel
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Operating Temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
Package Tube
Package / Case 32-BSOJ (0.400"", 10.16mm Width)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 32-SOJ
Technology SRAM - Asynchronous
Video File Cypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM
Voltage - Supply 3V ~ 3.6V
Write Cycle Time - Word, Page 10ns

Техническая документация

Datasheet
pdf, 553 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах