IRL520PBF, Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 руб.
Мин. кол-во для заказа 370 шт.
от 690 шт. —
96 руб.
от 1955 шт. —
93 руб.
Добавить в корзину 370 шт.
на сумму 37 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 6,5А, 60Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 9.2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 270 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 64 ns |
| Время спада | 27 ns |
| Высота | 15.49 mm |
| Длина | 10.41 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.2 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 21 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.8 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Base Product Number | IRL520 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 5.5A, 5V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9.2 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 2.5 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 270@5V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 10 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 60000 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 36 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 27 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 12(Max)@5V |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 3.9 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 7.1(Max) |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 3(Max) |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 490@25V |
| Typical Output Capacitance (pF) | 150 |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 830 |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 130 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 30@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 64 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 21 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9.8 |
| Вес, кг | 193 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
