2N5190G, Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

2N5190G, Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
77 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
42 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 126 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001228084
Артикул: 2N5190G
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Биполярный (BJT) транзистор NPN 40V 4A 2MHz 40W Through Hole TO-225AA

Технические параметры

Base Product Number 2N5190 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 1.5A, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 2MHz
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Power - Max 40W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-225AA
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.4V @ 1A, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 198 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах