SI3900DV-T1-E3, Trans MOSFET N-CH 20V 2A 6-Pin TSOP T/R

SI3900DV-T1-E3, Trans MOSFET N-CH 20V 2A 6-Pin TSOP T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
110 руб.
от 10 шт.95.20 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.
Номенклатурный номер: 8001228780
Артикул: SI3900DV-T1-E3
Производитель: Vishay

Описание

МОП-транзистор 20V Vds 12V Vgs TSOP-6

Технические параметры

Другие названия товара № SI3900DV-E3
Категория продукта МОП-транзистор
Коммерческое обозначение TrenchFET
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SI3
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay / Siliconix
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 2A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 830mW
Rds On - Drain-Source Resistance 125mО© @ 2.4A,4.5V
Transistor Polarity 2 N Channel(Double)
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20V
Vgs - Gate-Source Voltage 1.5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet
pdf, 204 КБ
Datasheet
pdf, 203 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах