BD237G, Bipolar Transistors - BJT 2A 80V 25W NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
от 10 шт. —
220 руб.
от 100 шт. —
171 руб.
от 500 шт. —
115.58 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Посмотреть аналоги5
Описание
The 2 A, 80 V, 25W NPN Bipolar Power Transistor is designed for use in 5.0 to 10 W audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V dc |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-225 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.68 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 150 КБ
Datasheet BD237G
pdf, 87 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
