BCP53-10,115, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR

Фото 1/5 BCP53-10,115, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
116000 шт., срок 7 недель
19 руб.
Кратность заказа 1000 шт.
от 10000 шт.17 руб.
Добавить в корзину 1000 шт. на сумму 19 000 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8025457428
Артикул: BCP53-10,115
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS MED PWR TAPE-7

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.7 mm (Max)
Длина 6.7 mm (Max)
Другие названия товара № BCP53-10 T/R
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 63
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 63
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1.5 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 145 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.7 mm (Max)
Base Product Number BCP53 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 145MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power - Max 1W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-223
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Collector Emitter Voltage Max 80В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 63hFE
DC Усиление Тока hFE 63hFE
Power Dissipation 650мВт
Количество Выводов 4вывод(-ов)
Линейка Продукции BCP53
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора SOT-223
Частота Перехода ft 145МГц
Maximum Collector Base Voltage 100 V
Maximum Collector Emitter Voltage -80 V
Maximum DC Collector Current -1 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 145 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1 W
Minimum DC Current Gain 63
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-223(SC-73)
Pin Count 4
Transistor Configuration Single

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1829 КБ
Datasheet
pdf, 1719 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.