PMZ550UNEYL, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 370мА; Idm: 2,3А
16725 шт., срок 7 недель
22 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
16 руб.
от 150 шт. —
13 руб.
от 500 шт. —
11 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 110 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
30V 590mA 670mΩ@590mA,4.5V 950mV@250uA null SOT-883 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 590mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 670mΩ@590mA, 4.5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 950mV@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 30.3pF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 310mW;1.67W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.1nC@4.5V |
| Type | null |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 707 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
