2N2219, Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag

2N2219, Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
40 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
787 руб.
от 25 шт.492 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 787 руб.
Номенклатурный номер: 8001269026
Артикул: 2N2219
Производитель: Microsemi

Технические параметры

EU RoHS Not Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 60
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 30
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 2.6@50mA@500mA|1.3@15mA@150mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.4@15mA@150mA|1.6@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.8
Minimum DC Current Gain 50@1mA@10V|75@10mA@10V|35@0.1mA@10V|100@150mA@10V|30@500mA@10V
Maximum Power Dissipation (mW) 800
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 200
Packaging Bag
Automotive No
Standard Package Name TO-205-AF
Supplier Package TO-39
Pin Count 3
Military No
Diameter 9.4(Max)
Mounting Through Hole
Package Height 6.6(Max)
PCB changed 3
Lead Shape Through Hole

Техническая документация

Datasheet
pdf, 158 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах