NVTFS4823NTAG, Trans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R

Фото 2/2 NVTFS4823NTAG, Trans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Фото 1/2 NVTFS4823NTAG, Trans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
261 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
106 руб.
от 10 шт.92 руб.
от 25 шт.91.10 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 106 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001269404
Артикул: NVTFS4823NTAG
Производитель: ON Semiconductor

Описание

МОП-транзистор Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm

Технические параметры

EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status NRND
Product Category Power MOSFET
Configuration Single Quad Drain Triple Source
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 30
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 2.5
Maximum Continuous Drain Current (A) 13
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum IDSS (uA) 1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 10.5@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 12@10V|6@4.5V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 12
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 750@12V
Maximum Power Dissipation (mW) 3100
Typical Fall Time (ns) 4
Typical Rise Time (ns) 22
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 14
Typical Turn-On Delay Time (ns) 12
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Packaging Tape and Reel
Supplier Temperature Grade Automotive
Automotive Yes
AEC Qualified Number AEC-Q101
Supplier Package WDFN EP
Standard Package Name DFN
Pin Count 8
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.75(Max)
Package Length 3.05
Package Width 3.05
PCB changed 8
Lead Shape No Lead
Id - непрерывный ток утечки 30 A
Pd - рассеивание мощности 21 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 10.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта МОП-транзистор
Квалификация AEC-Q101
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 34 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1500
Серия NVTFS4823N
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок WDFN-8
Base Product Number NVTFS4823 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 13A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 12V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case 8-PowerWDFN
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 15A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 8-WDFN (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250ВµA

Техническая документация

Datasheet NVTFS4823NTAG
pdf, 180 КБ
Datasheet NVTFS4823NTAG
pdf, 121 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах