JANTXV2N5154, Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

JANTXV2N5154, Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
4 200 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 200 руб.
Номенклатурный номер: 8001272724
Артикул: JANTXV2N5154
Производитель: Microsemi

Технические параметры

EU RoHS Not Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 100
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 80
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5.5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 2.2@500mA@5A|1.45@250mA@2.5A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 1.5@500mA@5A|0.75@250mA@2.5A
Maximum DC Collector Current (A) 2
Minimum DC Current Gain 70@2.5A@5V|40@5A@5V|50@50mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 1000
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 200
Packaging Bag
Supplier Temperature Grade Military
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package TO-39
Standard Package Name TO-205-AF
Diameter 9.4(Max)
Mounting Through Hole
Package Height 6.6(Max)
PCB changed 3
Lead Shape Through Hole

Техническая документация

Datasheet
pdf, 223 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах