SI1013CX-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R

Фото 2/2 SI1013CX-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
Фото 1/2 SI1013CX-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
54 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 162 руб.
Номенклатурный номер: 8001273099
Артикул: SI1013CX-T1-GE3
Производитель: Vishay

Описание

МОП-транзистор -20V Vds 8V Vgs SC89-3

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
Product Category Power MOSFET
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 20
Maximum Gate Source Voltage (V) ±8
Maximum Continuous Drain Current (A) 0.45
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 760@4.5V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 1.65@10V|1@2.5V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 1.65
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 45@10V
Maximum Power Dissipation (mW) 190
Typical Fall Time (ns) 8
Typical Rise Time (ns) 10
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 10
Typical Turn-On Delay Time (ns) 9
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Standard Package Name SC
Supplier Package SC-89
Pin Count 3
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.8(Max)
Package Length 1.7(Max)
Package Width 0.95(Max)
PCB changed 3
Категория продукта МОП-транзистор
Коммерческое обозначение TrenchFET
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SI1
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay Semiconductors

Техническая документация

Datasheet SI1013CX-T1-GE3
pdf, 196 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах