IGP50N60TXKSA1, БТИЗ транзистор, 50 А, 2 В, 333 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 150 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 1 010 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 3 450 руб.

Номенклатурный номер: 8237796003

Артикул: IGP50N60TXKSA1

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

Pd - рассеивание мощности	333 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IGP50N60T IGP5N6TXK SP000683046
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	90 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	500
Серия	TRENCHSTOP IGBT
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	90 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	333 W
Number of Transistors	3
Package Type	PG-TO220-3
Вес, г	1.95

pdf, 459 КБ

Мы рекомендуем