IGW50N60TFKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Ном. номер: 8001292977
Артикул: IGW50N60TFKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IGW50N60TFKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IGW50N60TFKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
381 руб.
54 шт. со склада г.Москва,
срок 3-5 недель
от 10 шт. — 377 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
550 руб. 8 дней, 88 шт. 2 шт. 2 шт.
329 руб. 3-4 недели, 54 шт. 1 шт. 25 шт.
720 руб. 2-4 недели, 83 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 545 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
16.13мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
90 А
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
333 Вт
Energy Rating
3.6mJ
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
5.21мм
Высота
21.1мм
Число контактов
3
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Емкость затвора
3140пФ

Дополнительная информация

Datasheet IGW50N60TFKSA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.