Мой регион: Россия

IRFH5015TRPBF, Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R

Ном. номер: 8001304286
PartNumber: IRFH5015TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
IRFH5015TRPBF, Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
132 руб.
883 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 10 шт. — 115 руб.
от 25 шт. — 104 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
28 руб. 3321 шт. 1 шт. 134 шт.
от 146 шт. — 27.80 руб.
130 руб. 2-3 недели, 13135 шт. 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 91 руб.
от 250 шт. — 80 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
44 А
Тип корпуса
PQFN
Максимальное рассеяние мощности
156 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5
Прямая активная межэлектродная проводимость
38S
Высота
0.85мм
Размеры
6 x 5 x 0.85мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6
Типичное время задержки включения
9.4 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
14 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
31 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
36 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2300 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.