Мой регион: Россия

IRL540NSTRLPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Ном. номер: 8001304789
PartNumber: IRL540NSTRLPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRL540NSTRLPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRL540NSTRLPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
166 руб.
144 руб.
140 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 10 шт. — 125 руб.
от 25 шт. — 112 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
150 руб. 2-3 недели, 200 шт. 10 шт. 10 шт.
от 20 шт. — 120 руб.
от 100 шт. — 88 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Continuous Drain Current
36 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
140 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
11.3mm
Forward Transconductance
14s
Height
4.83mm
Dimensions
10.67 x 11.3 x 4.83mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67mm
Transistor Configuration
Single
Typical Turn-On Delay Time
11 ns
Brand
Infineon
Typical Turn-Off Delay Time
39 ns
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Drain Source Resistance
63 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pin Count
3
Category
Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs
74 nC @ 5 V
Channel Mode
Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds
1800 pF @ 25 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Forward Diode Voltage
1.3V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.