Мой регион: Россия

IRF640NLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Ном. номер: 8001305099
PartNumber: IRF640NLPBF
Производитель: Infineon Technologies
IRF640NLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
109 руб.
294 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 10 шт. — 97.90 руб.
от 25 шт. — 95.90 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
170 руб. 1-2 недели, 980 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 130 руб.
35.90 руб. 3-4 недели, 5800 шт. 50 шт. 200 шт.
от 650 шт. — 35.60 руб.
от 1300 шт. — 34.60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Тип корпуса
I2PAK (TO-262)
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
11.3мм
Размеры
10.67 x 4.83 x 11.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
23 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
0,15 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
67 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1160 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.