50A02MH-TL-E, Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 600mW 3-Pin MCPH T/R

Фото 2/2 50A02MH-TL-E, Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 600mW 3-Pin MCPH T/R
Фото 1/2 50A02MH-TL-E, Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 600mW 3-Pin MCPH T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001339961
Артикул: 50A02MH-TL-E
Производитель: ON Semiconductor
41 руб.
4165 шт. со склада г.Москва,
срок 3-5 недель
от 10 шт. — 30 руб.
от 25 шт. — 29.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
84 руб. 220 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 45 руб.
от 5 шт. — 28 руб.
от 10 шт. — 23 руб.
7 руб. 7 дней, 11150 шт. 50 шт. 50 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.21.00.75
Type PNP
Product Category Bipolar Small Signal
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 50
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.2@10mA@100mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.12@10mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.5
Minimum DC Current Gain 200@10mA@2V
Maximum Power Dissipation (mW) 600
Maximum Transition Frequency (MHz) 690(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package MCPH
Standard Package Name SOT
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.88(Max)
Package Length 2
Package Width 1.6
PCB changed 3
Lead Shape Flat
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер -120 mV
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 690 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер -1.2 V
Длина 2мм
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база -50 V
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 50 V
Тип корпуса MCPH
Максимальное рассеяние мощности 600 мВт
Тип монтажа Surface Mount
Ширина 2.1мм
Максимальный пост. ток коллектора 500 мА
Тип транзистора PNP
Высота 0.85
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база -5 V
Размеры 2 x 2.1 x 0.85мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 200
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер -120 mV
Максимальная рабочая температура +150 °C
Maximum Operating Frequency 690 MHz
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage -1,2 В
Length 2мм
Максимальное напряжение коллектор-база -50 V
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 50 В
Тип корпуса MCPH
Максимальное рассеяние мощности 600 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Width 2.1мм
Maximum DC Collector Current 500 мА
Transistor Type PNP
Высота 0.85мм
Pin Count 3
Размеры 2 x 2.1 x 0.85mm
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Minimum DC Current Gain 200

Дополнительная информация

Datasheet 50A02MH-TL-E
Datasheet 50A02MH-TL-E

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.