50A02MH-TL-E, Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 600mW 3-Pin MCPH T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
|
41 руб.
|
4165 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель |
|
|
от 10 шт. —
30 руб.
от 25 шт. —
29.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
|
||
| Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
|---|---|---|---|---|
| 84 руб. | 220 шт. | 1 шт. | 1 шт. | |
|
от 2 шт. — 45 руб.
от 5 шт. — 28 руб.
от 10 шт. — 23 руб.
|
||||
| 7 руб. | 7 дней, 11150 шт. | 50 шт. | 50 шт. | |
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
Описание
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.21.00.75 |
| Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Material | Si |
| Configuration | Single |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@10mA@100mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.12@10mA@100mA |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.5 |
| Minimum DC Current Gain | 200@10mA@2V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 600 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 690(Typ) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | MCPH |
| Standard Package Name | SOT |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 0.88(Max) |
| Package Length | 2 |
| Package Width | 1.6 |
| PCB changed | 3 |
| Lead Shape | Flat |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -120 mV |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальная рабочая частота | 690 МГц |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | -1.2 V |
| Длина | 2мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | -50 V |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 V |
| Тип корпуса | MCPH |
| Максимальное рассеяние мощности | 600 мВт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Ширина | 2.1мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 500 мА |
| Тип транзистора | PNP |
| Высота | 0.85 |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | -5 V |
| Размеры | 2 x 2.1 x 0.85мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 200 |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -120 mV |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Maximum Operating Frequency | 690 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | -1,2 В |
| Length | 2мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | -50 V |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Brand | ON Semiconductor |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 В |
| Тип корпуса | MCPH |
| Максимальное рассеяние мощности | 600 mW |
| Mounting Type | Поверхностный монтаж |
| Width | 2.1мм |
| Maximum DC Collector Current | 500 мА |
| Transistor Type | PNP |
| Высота | 0.85мм |
| Pin Count | 3 |
| Размеры | 2 x 2.1 x 0.85mm |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
