JANTXV2N5680, Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

JANTXV2N5680, Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001340114
Артикул: JANTXV2N5680
Производитель: Microsemi
12 690 руб.
8 шт. со склада г.Москва,
срок 3-5 недель
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 690 руб.
Купить в 1 клик

Технические параметры

EU RoHS Not Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
Type PNP
Product Category Bipolar Power
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 120
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 120
Maximum Emitter Base Voltage (V) 4
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.1@25mA@250mA|1.3@50mA@500mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 1@50mA@500mA|0.6@25mA@250mA
Maximum DC Collector Current (A) 1
Minimum DC Current Gain 40@0.25A@2V|20@500mA@2V|5@1A@2V
Maximum Power Dissipation (mW) 1000
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 200
Packaging Bag
Supplier Temperature Grade Military
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package TO-39
Standard Package Name TO-205-AF
Diameter 9.4(Max)
Mounting Through Hole
Package Height 6.6(Max)
PCB changed 3
Lead Shape Through Hole

Дополнительная информация

Datasheet JANTXV2N5680

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.