JANTXV2N5237, Trans GP BJT NPN 120V 10A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag

JANTXV2N5237, Trans GP BJT NPN 120V 10A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001340397
Артикул: JANTXV2N5237
Производитель: Microsemi
8 700 руб.
207 шт. со склада г.Москва,
срок 3-5 недель
от 25 шт. — 5 434 руб.
от 100 шт. — 4 349 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 700 руб.
Купить в 1 клик

Технические параметры

EU RoHS Not Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 120
Maximum Emitter Base Voltage (V) 10
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 25@1A@10A|1.5@0.5A@5A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 2.5@1A@10A|0.6@0.5A@5A
Maximum DC Collector Current (A) 10
Minimum DC Current Gain 10@10A@5V|40@5A@5V|50@1A@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 1000
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 200
Supplier Temperature Grade Military
Packaging Bag
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package TO-5
Standard Package Name TO-205-AA
Diameter 9.4(Max)
Mounting Through Hole
Package Height 6.6(Max)
PCB changed 3
Lead Shape Through Hole

Дополнительная информация

Datasheet JANTXV2N5237

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.