SQ4946AEY-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 8-Pin SOIC N T/R

Фото 2/3 SQ4946AEY-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 8-Pin SOIC N T/RФото 3/3 SQ4946AEY-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
Фото 1/3 SQ4946AEY-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001340532
Артикул: SQ4946AEY-T1-GE3
Производитель: Vishay
179 руб.
44 шт. со склада г.Москва,
срок 3-5 недель
от 10 шт. — 152 руб.
от 25 шт. — 151 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
210 руб. 12 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 180 руб.
от 10 шт. — 143 руб.
110 руб. 7 дней, 3905 шт. 5 шт. 5 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Product Category Power MOSFET
Process Technology TrenchFET
Configuration Dual Dual Drain
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 2
Maximum Drain Source Voltage (V) 60
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 2.5
Maximum Continuous Drain Current (A) 7
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum IDSS (uA) 1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 40@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 11.7@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 11.7
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 600@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 4000
Typical Fall Time (ns) 2.1
Typical Rise Time (ns) 3.3
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 22.4
Typical Turn-On Delay Time (ns) 7
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Supplier Temperature Grade Automotive
Packaging Tape and Reel
Automotive Yes
AEC Qualified Number AEC-Q101
Pin Count 8
Supplier Package SOIC N
Standard Package Name SOP
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 1.55(Max)
Package Length 5(Max)
Package Width 4(Max)
PCB changed 8
Lead Shape Gull-wing
Maximum Operating Temperature +175 °C
Number of Elements per Chip 2
Length 5mm
Transistor Configuration Isolated
Brand Vishay
Maximum Continuous Drain Current 7 A
Package Type SOIC
Maximum Power Dissipation 4 W
Mounting Type Surface Mount
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 4mm
Height 1.5mm
Minimum Gate Threshold Voltage 1.5V
Maximum Drain Source Resistance 81 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Pin Count 8
Typical Gate Charge @ Vgs 11.7 nC @ 10 V
Transistor Material Si
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Transistor Mounting Surface Mount
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции TrenchFET Series
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Непрерывный Ток Стока
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 4Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.033Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора SOIC

Дополнительная информация

Datasheet SQ4946AEY-T1-GE3
Datasheet SQ4946AEY-T1-GE3

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.