JANTXV2N4957, Trans RF BJT PNP 30V 0.03A 200mW Bag

Ном. номер: 8001340548
Артикул: JANTXV2N4957
Производитель: Microsemi
16 140 руб.
70 шт. со склада г.Москва,
срок 3-5 недель
от 25 шт. — 10 087 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 16 140 руб.
Купить в 1 клик

Технические параметры

EU RoHS Not Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Obsolete
Type PNP
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 30
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 30
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V) 30 to 40
Maximum Emitter Base Voltage (V) 3
Maximum DC Collector Current (A) 0.03
Maximum DC Collector Current Range (A) 0.001 to 0.06
Maximum Emitter Cut-Off Current (nA) 100000
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 100000
Operational Bias Conditions 10V/2mA
Minimum DC Current Gain 30@5mA@10V|20@2mA@10V|15@0.5mA@10V
Minimum DC Current Gain Range 30 to 50|2 to 30
Maximum Power Dissipation (mW) 200
Typical Power Gain (dB) 25
Maximum Noise Figure (dB) 3.5
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 200
Supplier Temperature Grade Military
Automotive No

Дополнительная информация

Datasheet JANTXV2N4957

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.