RN1427(TE85L,F), Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
|
18.90 руб.
|
1963 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель |
|
|
от 25 шт. —
18.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
|
||
| Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
|---|---|---|---|---|
| 28 руб. | 7 дней, 60 шт. | 20 шт. | 20 шт. | |
| 74 руб. | 3-4 недели, 2295 шт. | 3 шт. | 3 шт. | |
|
от 27 шт. — 30 руб.
|
||||
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
Описание
RN Series Single Digital Transistors
Single digital transistors from Toshiba with integrated biasing resistors allowing direct drive from digital sources. Both NPN and PNP types are available.
Single digital transistors from Toshiba with integrated biasing resistors allowing direct drive from digital sources. Both NPN and PNP types are available.
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.21.00.95 |
| Type | NPN |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 800 |
| Minimum DC Current Gain | 90@100mA@1V |
| Typical Current Gain Bandwidth (MHz) | 300 |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 2.2 |
| Typical Resistor Ratio | 0.22 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@2mA@50mA|0.25@1mA@50mA |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | S-Mini |
| Standard Package Name | S-MINI |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 1.1 |
| Package Length | 2.9 |
| Package Width | 1.5 |
| PCB changed | 3 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.25 V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 2.9мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Brand | Toshiba |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 В |
| Maximum Continuous Collector Current | 800 mA |
| Package Type | SOT-23 (TO-236) |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 mW |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 1.5mm |
| Transistor Type | NPN |
| Высота | 1.1mm |
| Base-Emitter Resistor | 2.2 kO, 10 kO |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Dimensions | 2.9 x 1.5 x 1.1mm |
| Конфигурация | Одиночный |
| Typical Input Resistor | 2.2 kΩ |
| Minimum DC Current Gain | 90 |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
