PT334-6B, Phototransistor Chip Silicon 940nm 2-Pin T-1 Bag
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
|
54 руб.
39 руб.
|
8 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель |
|
|
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
|
||
| Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
|---|---|---|---|---|
| 87 руб. | 210 шт. | 1 шт. | 1 шт. | |
|
от 2 шт. — 48 руб.
от 5 шт. — 28 руб.
от 10 шт. — 22 руб.
|
||||
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.40.20.00 |
| Type | Chip |
| Phototransistor Type | Phototransistor |
| Lens Shape Type | Domed |
| Lens Color | Black |
| Material | Silicon |
| Number of Channels per Chip | 1 |
| Polarity | NPN |
| Viewing Orientation | Top View |
| Peak Wavelength (nm) | 940 |
| Maximum Rise Time (ns) | 15000(Typ) |
| Maximum Fall Time (ns) | 15000(Typ) |
| Maximum Collector Current (mA) | 20 |
| Maximum Dark Current (nA) | 100 |
| Maximum Emitter-Collector Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.4 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 75 |
| Fabrication Technology | NPN Transistor |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -25 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 85 |
| Packaging | Bag |
| Standard Package Name | T-1 |
| Supplier Package | T-1 |
| Pin Count | 2 |
| Diameter | 5.9 |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 8.6 |
| PCB changed | 2 |
| Lead Shape | Through Hole |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
