NSV40301MZ4T1G, Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
|
30.90 руб.
|
1835 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель |
|
|
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
|
||
| Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
|---|---|---|---|---|
| 13 руб. | 7 дней, 3700 шт. | 25 шт. | 25 шт. | |
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
Описание
General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON Semiconductor
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.75 |
| Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 40 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1@0.1A@1A |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2@0.3A@3A|0.1@20mA@1A|0.05@50mA@0.5A |
| Maximum DC Collector Current (A) | 3 |
| Minimum DC Current Gain | 100@3A@1V|220@0.5A@1V|200@1A@1V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 215(Typ) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | Yes |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Pin Count | 4 |
| Standard Package Name | SOT-223 |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 1.57 |
| Package Length | 6.5 |
| Package Width | 3.5 |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,2 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальная рабочая частота | 1 МГц |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1 В |
| Длина | 6.7мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | -40 В |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | -40 В |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 3.7мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 3 A |
| Тип транзистора | NPN-NO/NC |
| Высота | 1.65мм |
| Число контактов | 3+Tab |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Размеры | 6.7 x 3.7 x 1.65мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0,2 В |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Operating Frequency | 1 МГц |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1 В |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 40 В |
| Brand | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 40 В |
| Package Type | SOT-223 |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Mounting Type | Поверхностный монтаж |
| Максимальный пост. ток коллектора | 3 A |
| Transistor Type | NPN |
| Pin Count | 3+Tab |
| Размеры | 6.7 x 3.7 x 1.65мм |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 В |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
