NSV40301MZ4T1G, Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Фото 2/2 NSV40301MZ4T1G, Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Фото 1/2 NSV40301MZ4T1G, Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001342781
Артикул: NSV40301MZ4T1G
Производитель: ON Semiconductor
30.90 руб.
1835 шт. со склада г.Москва,
срок 3-5 недель
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
13 руб. 7 дней, 3700 шт. 25 шт. 25 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON Semiconductor

Технические параметры

EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.75
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Configuration Single Dual Collector
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 40
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 40
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1@0.1A@1A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.2@0.3A@3A|0.1@20mA@1A|0.05@50mA@0.5A
Maximum DC Collector Current (A) 3
Minimum DC Current Gain 100@3A@1V|220@0.5A@1V|200@1A@1V
Maximum Power Dissipation (mW) 2000
Maximum Transition Frequency (MHz) 215(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Supplier Temperature Grade Automotive
Packaging Tape and Reel
Automotive Yes
AEC Qualified Number AEC-Q101
Pin Count 4
Standard Package Name SOT-223
Supplier Package SOT-223
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 1.57
Package Length 6.5
Package Width 3.5
PCB changed 3
Tab Tab
Lead Shape Gull-wing
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,2 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 1 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1 В
Длина 6.7мм
Максимальное напряжение коллектор-база -40 В
Transistor Configuration Одинарный
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) -40 В
Тип корпуса SOT-223
Максимальное рассеяние мощности 2 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора 3 A
Тип транзистора NPN-NO/NC
Высота 1.65мм
Число контактов 3+Tab
Максимальное напряжение эмиттер-база 6 В
Automotive Standard AEC-Q101
Размеры 6.7 x 3.7 x 1.65мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 100
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0,2 В
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 1 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1 В
Конфигурация транзистора Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 40 В
Brand ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 40 В
Package Type SOT-223
Максимальное рассеяние мощности 2 Вт
Mounting Type Поверхностный монтаж
Максимальный пост. ток коллектора 3 A
Transistor Type NPN
Pin Count 3+Tab
Размеры 6.7 x 3.7 x 1.65мм
Maximum Emitter Base Voltage 6 В

Дополнительная информация

Datasheet NSV40301MZ4T1G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.