NRVBD660CTG, Diode Schottky 60V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Фото 2/2 NRVBD660CTG, Diode Schottky 60V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Фото 1/2 NRVBD660CTG, Diode Schottky 60V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001346629
Артикул: NRVBD660CTG
Производитель: ON Semiconductor
41 руб.
2028 шт. со склада г.Москва,
срок 3-5 недель
от 10 шт. — 39.80 руб.
от 100 шт. — 39 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
84 руб. 7 дней, 300 шт. 75 шт. 75 шт.
290 руб. 3-4 недели, 774 шт. 1 шт. 1 шт.
от 250 шт. — 124 руб.
92 руб. 7 дней, 330 шт. 10 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.

Технические параметры

EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
Package Length 6.73(Max)
Mounting Surface Mount
Package Width 6.22(Max)
Package Height 2.38(Max)
Tab Tab
PCB changed 2
Lead Shape Gull-wing
Type Schottky Diode
Configuration Dual Common Cathode
Maximum DC Reverse Voltage (V) 60
Peak Reverse Repetitive Voltage (V) 60
Maximum Continuous Forward Current (A) 6
Peak Non-Repetitive Surge Current (A) 75
Peak Forward Voltage (V) 0.9
Peak Reverse Current (uA) 100
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance 80°C/W
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Packaging Tube
Supplier Temperature Grade Automotive
Automotive Yes
AEC Qualified Number AEC-Q101
Standard Package Name TO-252
Pin Count 3
Supplier Package DPAK
Military No
Diode Configuration Common Cathode
Number of Elements per Chip 2
Brand ON Semiconductor
Package Type DPAK (TO-252)
Maximum Continuous Forward Current 6A
Mounting Type Поверхностный монтаж
Maximum Forward Voltage Drop 850mV
Pin Count 3
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current 75A
Diode Type Schottky
Peak Reverse Repetitive Voltage 60V
Diode Technology Schottky
Конфигурация диода Общий катод
Number of Elements per Chip 2
Brand ON Semiconductor
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальный непрерывный прямой ток 6A
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Maximum Forward Voltage Drop 850мВ
Pin Count 3
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current 75A
Diode Type Шоттки
Пиковое обратное повторяющееся напряжение 60V
Диодная технология Диод Шоттки

Дополнительная информация

Datasheet NRVBD660CTG

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.