2SD1815S-TL-E, Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Фото 2/2 2SD1815S-TL-E, Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Фото 1/2 2SD1815S-TL-E, Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001346774
Артикул: 2SD1815S-TL-E
Производитель: ON Semiconductor
36 руб.
1034 шт. со склада г.Москва,
срок 3-5 недель
от 10 шт. — 35.20 руб.
от 25 шт. — 34.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
26 руб. 7 дней, 700 шт. 700 шт. 700 шт.
44 руб. 7 дней, 1240 шт. 5 шт. 5 шт.
210 руб. 3-4 недели, 1 шт. 1 шт. 1 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON Semiconductor

Технические параметры

EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
PCB changed 2
Package Height 2.3
Mounting Surface Mount
Lead Shape Gull-wing
Tab Tab
Package Width 5.5
Package Length 6.5
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 120
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 100
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.2@0.15A@1.5A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.4@0.15A@1.5A
Maximum DC Collector Current (A) 3
Minimum DC Current Gain 140@0.5A@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 1000
Maximum Transition Frequency (MHz) 180(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Supplier Package DPAK
Pin Count 3
Standard Package Name TO-252
Military No
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 400 mV
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 1 MHz
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.2 V
Length 6.5mm
Maximum Collector Base Voltage 120 V
Transistor Configuration Single
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V
Package Type TP-FA
Maximum Power Dissipation 20 W
Mounting Type Surface Mount
Width 5.5mm
Maximum DC Collector Current 3 A
Transistor Type NPN
Height 2.3mm
Pin Count 4
Dimensions 6.5 x 5.5 x 2.3mm
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Minimum DC Current Gain 140
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 400 мВ
Maximum Operating Temperature +150 °C
Максимальная рабочая частота 1 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В
Конфигурация транзистора Одинарный
Maximum Collector Base Voltage 120 В
Brand ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 100 В
Package Type TP-FA
Максимальное рассеяние мощности 20 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Максимальный пост. ток коллектора 3 A
Transistor Type NPN
Pin Count 4
Максимальное напряжение эмиттер-база 6 В
Dimensions 6.5 x 5.5 x 2.3мм

Дополнительная информация

Datasheet 2SD1815S-TL-E

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.