2SB1122S-TD-E, Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

2SB1122S-TD-E, Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8001347275
Артикул: 2SB1122S-TD-E
Производитель: ON Semiconductor
18.70 руб.
2975 шт. со склада г.Москва,
срок 3-5 недель
от 100 шт. — 13 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
37 руб. 7 дней, 1625 шт. 25 шт. 25 шт.
75 руб. 3-4 недели, 5 шт. 1 шт. 2 шт.
66 руб. 5-6 недель, 1970 шт. 5 шт. 5 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.75
PCB changed 3
Package Height 1.5
Mounting Surface Mount
Lead Shape Flat
Tab Tab
Package Width 2.5
Package Length 4.5
Type PNP
Product Category Bipolar Power
Configuration Single Dual Collector
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 60
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.5@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A) 1
Minimum DC Current Gain 140@100mA@2V
Maximum Power Dissipation (mW) 500
Maximum Transition Frequency (MHz) 150(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Supplier Package SOT-89
Pin Count 4
Standard Package Name SOT
Military No
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage -500 mV
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 150 MHz
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage -1.2 V
Length 4.5мм
Maximum Collector Base Voltage -60 V
Transistor Configuration Single
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 50 В
Package Type PCP
Maximum Power Dissipation 1.3 W
Mounting Type Поверхностный монтаж
Width 2.5мм
Maximum DC Collector Current 1 A
Transistor Type PNP
Height 1.5мм
Pin Count 3
Dimensions 4.5 x 2.5 x 1.5mm
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Minimum DC Current Gain 30
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер -500 мВ
Maximum Operating Temperature +150 °C
Максимальная рабочая частота 150 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер -1,2 В
Конфигурация транзистора Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база -60 В
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 50 В
Тип корпуса PCP
Максимальное рассеяние мощности 1,3 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Maximum DC Collector Current 1 A
Тип транзистора PNP
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база -5 В
Размеры 4.5 x 2.5 x 1.5мм

Дополнительная информация

Datasheet 2SB1122S-TD-E

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах