Мой регион: Россия

2N7000_D26Z, 60V N-CH. FET, 5 O, TO92

Ном. номер: 8001402485
PartNumber: 2N7000_D26Z
Производитель: ON Semiconductor
2N7000_D26Z, 60V N-CH. FET, 5 O, TO92
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5.50 руб.
13073 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
Мин. кол-во для заказа 130 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
13 руб. 1-2 недели, 2200 шт. 100 шт. 100 шт.
от 500 шт. — 11 руб.
от 1000 шт. — 9.60 руб.
4.40 руб. 4-6 недель, 22000 шт. 2000 шт. 2000 шт.
от 12000 шт. — 4.20 руб.
40 руб. 2-3 недели, 10379 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 27 руб.
от 100 шт. — 12 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
5.2mm
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Package Type
TO-92
Maximum Power Dissipation
400 mW
Mounting Type
Through Hole
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.19mm
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Height
5.33mm
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pin Count
3
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-40 V, +40 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.