Мой регион: Россия

BDX53CTU, NPN EPITAXIAL SILICON TRANSIST

Ном. номер: 8001407521
PartNumber: BDX53CTU
Производитель: ON Semiconductor
BDX53CTU, NPN EPITAXIAL SILICON TRANSIST
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
68 руб.
124 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 10 шт. — 56.60 руб.
от 100 шт. — 38.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
75 руб. 1-2 недели, 650 шт. 10 шт. 10 шт.
от 50 шт. — 55 руб.
от 100 шт. — 46 руб.
22 руб. 4-6 недель, 2000 шт. 1000 шт. 1000 шт.
от 2000 шт. — 21.80 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2,5 В
Длина
9.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальный запирающий ток коллектора
200 μA, 500 μA
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
8 A
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
60 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.5мм
Тип транзистора
NPN-NO/NC
Высота
15.95мм
Число контактов
3
Размеры
9.9 x 4.5 x 15.95мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
750

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.