IRFB7434PBF

Ном. номер: 8001773988
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRFB7434PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRFB7434PBFФото 3/4 IRFB7434PBFФото 4/4 IRFB7434PBF
95 руб.
1874 шт. со склада г.Москва
от 50 шт. — 86 руб.
от 100 шт. — 82.70 руб.
от 200 шт. — 78.80 руб.
Мин. кол-во для заказа 46 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
150 руб. 3 дня, 750 шт. 1 шт. 1 шт.
от 25 шт. — 84 руб.
от 100 шт. — 80 руб.
от 175 шт. — 78.97 руб.
210 руб. 19 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 170 руб.
от 10 шт. — 138 руб.
120 руб. 6 дней, 713 шт. 1 шт. 16 шт.
от 50 шт. — 94 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

МОП-транзистор; N; 195 А; 40 В; 1.25 мОм; 294 Вт; TO-220-3

Характеристики:

Полярность: N;

Напряжение пробоя сток-исток: 40 В;

Номинальный ток: 195 А;

Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм;

Напряжение затвор-исток: ±20 В;

Заряд затвора: 324 нКл;

Рассеиваемая мощность: 294 Вт;

Размеры: 10х4.4х15.65 мм;

Рабочая температура: -55...+175 °С

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 195 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.6 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
195 A
Package Type
TO-220AB
Maximum Power Dissipation
294 W
Series
StrongIRFET
Mounting Type
Through Hole
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.83mm
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Height
16.51mm
Maximum Drain Source Resistance
1.6 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
324 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
195
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
3.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
1.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
294
Крутизна характеристики S,А/В
211
Особенности
StrongIRFET
Температура, С
-55...+175
Корпус
TO220AB
Вес, г
3

Техническая документация

irfb7434pbf
pdf, 265 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB7434PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.