IRFI4510GPBF

Ном. номер: 8001774211
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFI4510GPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFI4510GPBFФото 3/3 IRFI4510GPBF
38 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 120 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
280 руб. 3-4 недели, 154 шт. 1 шт. 1 шт.
от 3 шт. — 230 руб.
от 6 шт. — 177 руб.
от 28 шт. — 156.43 руб.
190 руб. 8 дней, 120 шт. 10 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FULLPAK3, АБ

Корпус TO220FULLPAK3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 35 А, Сопротивление открытого канала (мин) 13.5 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Package Type
TO-220FP
Maximum Power Dissipation
42 W
Mounting Type
Through Hole
Width
4.83mm
Forward Transconductance
55s
Height
9.8mm
Dimensions
10.63 x 4.83 x 9.8mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.63mm
Transistor Configuration
Single
Typical Turn-On Delay Time
16 ns
Brand
Infineon
Typical Turn-Off Delay Time
54 ns
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Drain Source Resistance
13.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pin Count
3
Category
Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 50 V
Channel Mode
Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds
2998 pF @ 50 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Forward Diode Voltage
1.3V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.63mm
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Infineon
Максимальный непрерывный ток стока
35 А
Тип корпуса
TO-220FP
Maximum Power Dissipation
42 Вт
Series
HEXFET
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Width
4.83mm
Высота
9.8mm
Maximum Drain Source Resistance
13.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 В
Pin Count
3
Типичный заряд затвора при Vgs
13 nC @ 50 V
Transistor Material
Кремний
Channel Mode
Поднятие
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Forward Diode Voltage
1.3V
Вес, г
2.84

Техническая документация

irfi4510gpbf
pdf, 226 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов