2N7002P.215

Ном. номер: 8001774351
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/4 2N7002P.215
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 2N7002P.215Фото 3/4 2N7002P.215Фото 4/4 2N7002P.215
2 руб.
70346 шт. со склада г.Москва
от 3000 шт. — 1.40 руб.
от 12000 шт. — 1.30 руб.
Мин. кол-во для заказа 2778 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
3.30 руб. 3-4 недели, 74860 шт. 20 шт. 40 шт.
от 200 шт. — 2.40 руб.
от 600 шт. — 2.20 руб.
от 2000 шт. — 2.10 руб.
19.50 руб. 3-5 недель, 28089 шт. 1 шт. 10 шт.
от 25 шт. — 19.30 руб.
11 руб. 3-4 недели, 14880 шт. 20 шт. 20 шт.
от 1180 шт. — 3.68 руб.
19 руб. 4 дня, 2851 шт. 1 шт. 100 шт.
от 438 шт. — 4 руб.
от 875 шт. — 2.40 руб.
от 1749 шт. — 2 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3мм
Transistor Configuration
Single
Brand
Nexperia
Maximum Continuous Drain Current
360 mA
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
420 mW
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.4мм
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Height
1мм
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
360 мА
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
420 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.4мм
Высота
1мм
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
3 нс
Производитель
Nexperia
Типичное время задержки выключения
10 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Максимальное сопротивление сток-исток
1,6 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
0,6 нКл при 4,5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
30 pF @ -10 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.041

Дополнительная информация

Datasheet 2N7002P.215
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов