IRFP4868PBF

Ном. номер: 8001774824
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRFP4868PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRFP4868PBFФото 3/4 IRFP4868PBFФото 4/4 IRFP4868PBF
360 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 15 шт. — 299 руб.
от 75 шт. — 284 руб.
Мин. кол-во для заказа 13 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
380 руб. 384 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 367 руб.
от 150 шт. — 364 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 25, корпус: TO247AC, АБ

Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 300 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 70 А, Сопротивление открытого канала (мин) 32 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
70 A
Тип корпуса
TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности
517 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.31мм
Высота
20.7мм
Размеры
15.87 x 5.31 x 20.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.87мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
24 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
62 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
32 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
300 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
180 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
10774 пФ при 50 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
7.17

Техническая документация

irfp4868pbf
pdf, 303 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFP4868PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео