IRF7820TRPBF

Ном. номер: 8001774850
PartNumber: IRF7820TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRF7820TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRF7820TRPBFФото 3/3 IRF7820TRPBF
51 руб.
12167 шт. со склада г.Москва
от 159 шт. — 46.30 руб.
от 332 шт. — 43.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 90 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
153 руб. 4-6 недель, 9 шт. 1 шт. 1 шт.
200 руб. 3-4 недели, 4259 шт. 1 шт. 1 шт.
110 руб. 4 дня, 462 шт. 1 шт. 6 шт.
от 22 шт. — 69 руб.
от 43 шт. — 61 руб.
от 86 шт. — 56 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFET транзистор

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 78 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
3,7 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
5
Типичное время задержки включения
7.1 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
14 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
5
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
78 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
29 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1750 пФ при 100 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V
Вес, г
0.188

Дополнительная информация

Datasheet IRF7820TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.