IRFR7440TRPBF

Ном. номер: 8001774853
PartNumber: IRFR7440TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFR7440TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFR7440TRPBFФото 3/3 IRFR7440TRPBF
35 руб.
1319 шт. со склада г.Москва
Мин. кол-во для заказа 134 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
170 руб. 8 дней, 8475 шт. 5 шт. 5 шт.
от 50 шт. — 100 руб.
от 100 шт. — 74 руб.
от 500 шт. — 62.42 руб.
200 руб. 3-4 недели, 467 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 154 руб.
от 100 шт. — 109 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
DPAK/MOSFET, 40V, 90A, 2.5 MOHM, 89 NC QG
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 90 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.9 мОм

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
140 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
2.39мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
280S
Высота
6.22мм
Размеры
6.73 x 2.39 x 6.22мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
51 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Максимальное сопротивление сток-исток
2,4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
89 нКл при 20 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4610 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V
Вес, г
0.593

Дополнительная информация

Datasheet IRFR7440TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.