IRFS7437TRLPBF

Ном. номер: 8001774854
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRFS7437TRLPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRFS7437TRLPBFФото 3/4 IRFS7437TRLPBFФото 4/4 IRFS7437TRLPBF
84 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 64 шт. — 69.40 руб.
от 269 шт. — 65.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 56 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
140 руб. 8 дней, 1150 шт. 10 шт. 10 шт.
130 руб. 3-5 недель, 40 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 124 руб.
от 25 шт. — 123 руб.
210 руб. 2-4 недели, 118 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 148 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 800, корпус: TO263, АБ

N-CH 40V 180A 1.4mOhm TO263
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 195 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.8 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Continuous Drain Current
250 А
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
230 W
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Width
9.65mm
Высота
4.83mm
Transistor Material
Кремний
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Infineon
Серия
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Drain Source Resistance
1.8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Forward Diode Voltage
1.3V
Вес, г
2.072

Дополнительная информация

Datasheet IRFS7437TRLPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов