BSP317PH6327XTSA1

Ном. номер: 8001775786
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 BSP317PH6327XTSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BSP317PH6327XTSA1Фото 3/4 BSP317PH6327XTSA1Фото 4/4 BSP317PH6327XTSA1
25 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 201 шт. — 23 руб.
от 416 шт. — 21.60 руб.
от 1000 шт. — 20.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 182 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
35 руб. 967 шт. 1 шт. 1 шт.
от 50 шт. — 30 руб.
от 500 шт. — 28 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

SOT223-4/SMALL SIGNAL N-CHANNEL
Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 250 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 430 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 4 Ом

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Continuous Drain Current
430 mA
Package Type
SOT-223
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
3.5mm
Height
1.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.5mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Infineon
Series
SIPMOS
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Pin Count
3 + Tab
Typical Gate Charge @ Vgs
11.6 nC @ 10 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
0.197

Техническая документация

BSP317P datasheet
pdf, 82 КБ
BSP317P L6327
pdf, 527 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BSP317PH6327XTSA1