BSP129H6327XTSA1

Ном. номер: 8001775821
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 BSP129H6327XTSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 BSP129H6327XTSA1Фото 3/3 BSP129H6327XTSA1
25 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 202 шт. — 23 руб.
от 419 шт. — 21.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 183 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
34 руб. 754 шт. 1 шт. 1 шт.
от 50 шт. — 29 руб.
от 500 шт. — 27 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы, управляемые p-n переходом

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

SOT223-4/N-Channel Depletion MOSFETs (60V...600V)
Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 240 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 350 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 6 Ом

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
350 mA
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.5мм
Высота
1.6мм
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
4,4 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
22 нс
Серия
SIPMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток
20 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
240 В
Число контактов
3+Tab
Категория
Малый сигнал
Типичный заряд затвора при Vgs
3,8 нКл при 5 В
Номер канала
Опускание
Типичная входная емкость при Vds
82 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.195

Дополнительная информация

Datasheet BSP129H6327XTSA1