IRFP7718PBF

Ном. номер: 8001775935
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRFP7718PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 IRFP7718PBFФото 3/4 IRFP7718PBFФото 4/4 IRFP7718PBF
300 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 19 шт. — 250 руб.
от 75 шт. — 237 руб.
Мин. кол-во для заказа 16 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
290 руб. 99 шт. 1 шт. 1 шт.
от 15 шт. — 286 руб.
от 150 шт. — 283 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 25, корпус: TO247AC, АБ

Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 195 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.8 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
355 A
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
517 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.31мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
420s
Высота
20.7мм
Размеры
15.87 x 5.31 x 20.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.87мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
58 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
266 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток
1,8 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
75 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
552 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
29550 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V
Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
195
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
3.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
1.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
517
Крутизна характеристики S,А/В
420
Особенности
StrongIRFET
Температура, С
-55...+175
Корпус
TO247AC
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Maximum Continuous Drain Current
355 A
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
517 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.31mm
Height
20.7mm
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.87мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Infineon
Series
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное пороговое напряжение включения
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Drain Source Resistance
1,8 мΩ
Maximum Drain Source Voltage
75 В
Число контактов
3
Typical Gate Charge @ Vgs
552 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.3V
Вес, г
7.191

Техническая документация

irfp7718pbf
pdf, 769 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов