Мой регион: Россия

IRFS7530-7PPBF

Ном. номер: 8001775994
PartNumber: IRFS7530-7PPBF
Производитель: Infineon Technologies
IRFS7530-7PPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
190 руб.
103 шт. со склада г.Москва
от 38 шт. — 162 руб.
Мин. кол-во для заказа 22 шт.
Добавить в корзину 22 шт. на сумму 4 180 руб.
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.<BR/>

MOSFET транзистор
Кол-во в упаковке: 50, корпус: TO2637, вес: 2.28

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
240 А
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4.69мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
249S
Высота
9.65мм
Размеры
10.54 x 4.69 x 9.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.54мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
24 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
168 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
1,4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
7
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
236 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
12960 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.