BSS225H6327FTSA1

Ном. номер: 8001776122
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 BSS225H6327FTSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 BSS225H6327FTSA1
16 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 304 шт. — 15 руб.
от 631 шт. — 13.90 руб.
от 1324 шт. — 13.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 276 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
91 руб. 184 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 60 руб.
от 5 шт. — 36 руб.
от 10 шт. — 28 руб.
21 руб. 4 дня, 1014 шт. 1 шт. 73 шт.
от 146 шт. — 18 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: SOT89, АБ

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
90 мА
Тип корпуса
SOT-89
Максимальное рассеяние мощности
5 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
2.5мм
Высота
1.5мм
Размеры
4.5 x 2.5 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
62 нс
Серия
SIPMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Максимальное сопротивление сток-исток
45 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Число контактов
3
Категория
Малый сигнал
Типичный заряд затвора при Vgs
3,9 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
99 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.129

Дополнительная информация

Datasheet BSS225H6327FTSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.