BSS138NH6327XTSA2

Ном. номер: 8001776199
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 BSS138NH6327XTSA2
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 BSS138NH6327XTSA2Фото 3/3 BSS138NH6327XTSA2
4 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 1500 шт. — 3 руб.
от 6000 шт. — 2.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 1306 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
120 руб. 550 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 65 руб.
от 5 шт. — 28 руб.
от 10 шт. — 17 руб.
46 руб. 3-5 недель, 2537 шт. 1 шт. 3 шт.
14 руб. 3-4 недели, 4500 шт. 10 шт. 50 шт.
от 130 шт. — 8.60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

MOSFET, N CH, 60V, 0.23A, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 230 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 3.5 Ом

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Infineon
Максимальный непрерывный ток стока
230 mA
Тип корпуса
SOT-23
Maximum Power Dissipation
360 mW
Series
SIPMOS
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ширина
1.3mm
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Height
1мм
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Максимальное сопротивление сток-исток
6 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
1 nC @ 10 V
Transistor Material
Кремний
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Вес, г
0.034

Дополнительная информация

Datasheet BSS138NH6327XTSA2