IRFB7787PBF

Ном. номер: 8001776250
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFB7787PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFB7787PBFФото 3/3 IRFB7787PBF
39 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 116 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
142 руб. 3-5 недель, 1000 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 126 руб.
от 25 шт. — 124 руб.
99 руб. 8 дней, 290 шт. 10 шт. 10 шт.
1 110 руб. 2-4 недели, 896 шт. 1 шт. 1 шт.
от 5 шт. — 919 руб.
от 10 шт. — 825 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 76 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8.4 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
76 A
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
125 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
154s
Высота
16.51мм
Размеры
10.67 x 4.83 x 16.51мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
51 нс
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Максимальное сопротивление сток-исток
8,4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
75 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
73 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4020 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V
Вес, г
2.619

Техническая документация

irfs7787pbf
pdf, 923 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB7787PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов