IPW65R019C7FKSA1

Ном. номер: 8001776373
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IPW65R019C7FKSA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IPW65R019C7FKSA1Фото 3/3 IPW65R019C7FKSA1
690 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
1 210 руб. 4 дня, 14 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 1 080 руб.
от 4 шт. — 983 руб.
от 8 шт. — 925 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ

MOSFET, N-CH, 650V, 75A, TO-247-3

Меньше корпус - больше удельная мощность

Ранее R DS(on) = 45 мОм имели приборы серии CoolMOS™ CP в корпусе TO-247 (IPW60R045CP), сегодня такое же сопротивление имеют приборы серии CoolMOS™ C7 в корпусе TO-220 (IPP65R045C7). CoolMOS™ C7 является мировым лидером по сопротивлению открытого канала в корпусе TO-247. По сравнению с ближайшим конкурентом сопротивление снижено на 34%. А в корпусах TO-220/D2PAK R DS(on) на 29% меньше, чем у ближайшего конкурента.

Наряду с повышением КПД, снижение значения R DS(on) означает повышение удельной мощности с возможностью использования новых корпусов меньших размеров.

Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 75 А, Сопротивление открытого канала (мин) 19 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
75 A
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
446 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
21.1мм
Высота
5.21мм
Размеры
16.13 x 21.1 x 5.21мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
16.13мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
30 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
106 нс
Серия
CoolMOS C7
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
19 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
700 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
215 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
9900 пФ при 400 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Прямое напряжение диода
0.9V
Вес, г
8.017

Дополнительная информация

Datasheet IPW65R019C7FKSA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов