BSS138PW.115

Ном. номер: 8001776377
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/4 BSS138PW.115
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BSS138PW.115Фото 3/4 BSS138PW.115Фото 4/4 BSS138PW.115
3 руб.
12497 шт. со склада г.Москва
от 2000 шт. — 2.30 руб.
от 9000 шт. — 2.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 1713 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
27 руб. 2-4 недели, 14215 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 26 руб.
от 100 шт. — 13 руб.
6.50 руб. 3-4 недели, 4240 шт. 10 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 4.80 руб.
от 300 шт. — 4.40 руб.
от 1000 шт. — 4.10 руб.
21 руб. 4 дня, 7061 шт. 1 шт. 86 шт.
от 353 шт. — 4 руб.
от 706 шт. — 2.90 руб.
от 1412 шт. — 2.40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703

Тип упаковки-Tape and Reel (лента в катушке; Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 320 мА
Корпус SC703, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 320 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 1.6 Ом

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2мм
Transistor Configuration
Single
Brand
Nexperia
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Maximum Power Dissipation
310 mW
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.35mm
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Height
1мм
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
0.72 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
0.043

Дополнительная информация

Datasheet BSS138PW.115