BSC039N06NSATMA1

Ном. номер: 8001776589
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 BSC039N06NSATMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 BSC039N06NSATMA1Фото 3/3 BSC039N06NSATMA1
51 руб.
484 шт. со склада г.Москва
от 95 шт. — 46 руб.
от 196 шт. — 44 руб.
от 411 шт. — 41.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 86 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
240 руб. 3-4 недели, 1264 шт. 1 шт. 1 шт.
от 5 шт. — 180 руб.
от 9 шт. — 124 руб.
от 41 шт. — 107.32 руб.
150 руб. 8 дней, 550 шт. 10 шт. 10 шт.
от 50 шт. — 120 руб.
от 250 шт. — 98 руб.
от 500 шт. — 83.06 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 5000, корпус: PGTDSON8

TDSON 8/MV POWER MOS
Корпус PGTDSON8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 100 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.9 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Package Type
TDSON
Maximum Power Dissipation
69 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
5.35mm
Forward Transconductance
85s
Height
1.1mm
Dimensions
6.1 x 5.35 x 1.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.1mm
Transistor Configuration
Single
Typical Turn-On Delay Time
12 ns
Brand
Infineon
Typical Turn-Off Delay Time
20 ns
Series
OptiMOS 5
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Drain Source Resistance
5.9 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pin Count
8
Category
Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 10 V
Channel Mode
Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds
2000 pF @ 30 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Forward Diode Voltage
1.2V
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Product Category
Power MOSFET
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Process Technology
OptiMOS
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
60
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
2.8(Typ)
Maximum Continuous Drain Current (A)
100
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
Maximum IDSS (uA)
1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
3.9@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
27@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
27
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
2000@30V
Maximum Power Dissipation (mW)
2500
Typical Fall Time (ns)
7
Typical Rise Time (ns)
12
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
20
Typical Turn-On Delay Time (ns)
12
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Pin Count
8
Standard Package Name
SON
Supplier Package
TDSON EP
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1
Package Length
5.15
Package Width
5.9
PCB changed
8
Lead Shape
No Lead
Вес, г
0.256

Дополнительная информация

Datasheet BSC039N06NSATMA1
Datasheet BSC039N06NSATMA1
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.