IRFR7740TRPBF

Ном. номер: 8001776591
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFR7740TRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFR7740TRPBFФото 3/3 IRFR7740TRPBF
58 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 93 шт. — 48.10 руб.
от 388 шт. — 45.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 81 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
180 руб. 2-4 недели, 843 шт. 1 шт. 1 шт.
160 руб. 6 дней, 204 шт. 1 шт. 2 шт.
от 25 шт. — 70 руб.
от 49 шт. — 63 руб.
от 97 шт. — 57 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252, АБ

Trans MOSFET N-CH Si 75V 87A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 87 А, Сопротивление открытого канала (мин) 7.2 мОм

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73мм
Brand
Infineon
Maximum Continuous Drain Current
87 А
Package Type
DPAK (TO-252)
Maximum Power Dissipation
140 Вт
Серия
HEXFET
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.22мм
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Высота
2.39мм
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Drain Source Resistance
7.2 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
84 nC @ 10 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Forward Diode Voltage
1.2V
Вес, г
0.67

Дополнительная информация

Datasheet IRFR7740TRPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов