SKM200GB126D

Ном. номер: 8001776910
PartNumber: SKM200GB126D
Производитель: Semikron Elektronik
Фото 1/2 SKM200GB126D
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 SKM200GB126D
6 810 руб.
43 шт. со склада г.Москва
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 810 руб.
Купить в 1 клик
IGBT силовой модуль

кол-во в упаковке: 1

IGBT MODULE, DUAL, 1200V Transistor Type IGBT Module Transistor Polarity N Channel Voltage, Vces 1200V Current Ic Continuous a Max 260A Voltage, Vce Sat Max 2.15V Case Style SEMITRANS 3 Termination Type Screw Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 1200V Current Ic Continuous b Max 190A Current Ic av 260A Current, Icm Pulsed 200A External Depth 61.4mm Fixing Centres 93mm Fixing Hole Diameter 5.4mm Power, Pd 220W SMD Marking SEMITRANS 3 Temperature, Current 25°C Time, Rise 40ns Transistors, No. of 2 Width, External 105mm Voltage 1200V
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
106.4мм
Transistor Configuration
Серия
Производитель
Semikron
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
260 A
Тип корпуса
SEMITRANS3
Тип монтажа
Монтаж на панель
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
61.4мм
Высота
30мм
Число контактов
7
Размеры
106.4 x 61.4 x 30мм
Конфигурация
Двойной полумост
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Вес, г
320

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.