STP80NF10

Ном. номер: 8001777144
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/5 STP80NF10
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 STP80NF10Фото 3/5 STP80NF10Фото 4/5 STP80NF10Фото 5/5 STP80NF10
91 руб.
754 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 78.80 руб.
от 250 шт. — 75 руб.
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
289 руб. 3-5 недель, 450 шт. 1 шт. 1 шт.
200 руб. 6 дней, 221 шт. 1 шт. 2 шт.
от 19 шт. — 94 руб.
от 37 шт. — 84 руб.
от 100 шт. — 75 руб.
400 руб. 8 дней, 115 шт. 1 шт. 1 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 80 А, Сопротивление открытого канала (мин) 15 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
9.15мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
26 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
116 нс
Серия
STripFET II
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
15 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
135 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
5500 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
9.15мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
26 нс
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
116 нс
Серия
STripFET II
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
15 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
135 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
5500 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
2.633

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов