STD4NK80ZT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6842 шт. со склада г.Москва
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 29 шт.
от 65 шт. —
105 руб.
от 274 шт. —
92.19 руб.
Добавить в корзину 29 шт.
на сумму 3 770 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 1,89А, 80Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Корпус | to252 | |
| кол-во в упаковке | 2500 | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
| Fall Time: | 32 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 2.9 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) | |
| Pd - Power Dissipation: | 80 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 22.5 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 Ohms | |
| Rise Time: | 12 ns | |
| Series: | STD4NK80Z | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel MOSFET | |
| Type: | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 2500 | |
| Fall Time | 32 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 2.9 S | |
| Height | 2.4 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | 3 A | |
| Length | 6.6 mm | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-252-3 | |
| Packaging | Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 80 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 22.5 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.5 Ohms | |
| Rise Time | 12 ns | |
| RoHS | Details | |
| Series | STD4NK80Z | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Type | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
| Width | 6.2 mm | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
